DiodesZetex N-kanal-Kanal, MOSFET, 0.31 A 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K
- RS-varenummer:
- 719-500
- Producentens varenummer:
- BSS138K-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 2,80
(ekskl. moms)
Kr. 3,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | Kr. 0,56 | Kr. 2,80 |
| 125 - 495 | Kr. 0,49 | Kr. 2,45 |
| 500 - 2495 | Kr. 0,454 | Kr. 2,27 |
| 2500 - 4995 | Kr. 0,384 | Kr. 1,92 |
| 5000 + | Kr. 0,35 | Kr. 1,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-500
- Producentens varenummer:
- BSS138K-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS138K | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.95nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.54W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 2.5 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS138K | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.95nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.54W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 2.5 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N-kanals forbedringstilstand MOSFET er designet til at levere fremragende ydeevne i højtydende strømstyringsanvendelser. Med en maksimal dræn-kildespænding på 50 V og lav modstand ved tænding sikrer denne enhed minimalt effekttab og effektiv drift. Med en række avancerede funktioner, f.eks. lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder, er denne MOSFET særligt velegnet til brug i automatiserede løsninger, der kræver pålidelighed og overholdelse af miljøstandarder. Dens robuste design, der er velegnet til brug i biler, gør den til et alsidigt valg til moderne elektroniske systemer.
Lav modstand ved tænding sikrer effektiv strømstyring
Hurtig skiftehastighed letter højfrekvente anvendelser
Konstrueret til pålidelighed i biler i overensstemmelse med AEC-Q100
I overensstemmelse med RoHS og fri for halogen og antimon, understøtter miljøvenlige initiativer
Total blyfri samling overholder strenge miljøforskrifter
Fugtfølsomhedsniveau på 1 sikrer pålidelighed under variable forhold
Fås i tape- og rulleemballage, hvilket forenkler fremstillingsprocesser
ESD-beskyttet gate øger holdbarheden mod elektrisk udladning