STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, STS

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
719-621
Producentens varenummer:
STS10N3LH5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

STS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.021Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

22V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.6nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Bredde

4mm

Højde

1.75mm

STMicroelectronics STripFETTMV Power MOSFET-teknologi er blandt de nyeste forbedringer, der er specielt skræddersyet til at opnå meget lav modstand i tændt tilstand, hvilket også giver en af de bedste FOM'er i klassen.

Ekstremt lav modstand ved tænding RDS(on)

Meget lav koblingsgate-opladning

Høj lavine-robusthed

Lavt strømtab for gate-drev

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.