STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, STS
- RS-varenummer:
- 719-622
- Producentens varenummer:
- STS10N3LH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 enhed)*
Kr. 2,62
(ekskl. moms)
Kr. 3,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 300 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 2,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-622
- Producentens varenummer:
- STS10N3LH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | STS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.021Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie STS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.021Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4mm | ||
Højde 1.75mm | ||
STMicroelectronics STripFETTMV Power MOSFET-teknologi er blandt de nyeste forbedringer, der er specielt skræddersyet til at opnå meget lav modstand i tændt tilstand, hvilket også giver en af de bedste FOM'er i klassen.
Ekstremt lav modstand ved tænding RDS(on)
Meget lav koblingsgate-opladning
Høj lavine-robusthed
Lavt strømtab for gate-drev