STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 397 A 60 V Forbedring, 6 Ben, H2PAK, STH
- RS-varenummer:
- 719-654
- Producentens varenummer:
- STH345N6F7-6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 20.445,00
(ekskl. moms)
Kr. 25.556,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 20,445 | Kr. 20.445,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-654
- Producentens varenummer:
- STH345N6F7-6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 397A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | STH | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 230nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 341W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.7mm | |
| Længde | 9.3mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 397A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie STH | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 230nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 341W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.7mm | ||
Længde 9.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur, der resulterer i en meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
Blandt de laveste RDS(on) på markedet
Fremragende FoM (fortjensttal)
Lavt Crss/Ciss-forhold for EMI-immunitet
Høj lavine-robusthed