Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8S, SiR
- RS-varenummer:
- 735-133
- Producentens varenummer:
- SiRS5800DP
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 25,43
(ekskl. moms)
Kr. 31,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 25,43 |
| 10 - 49 | Kr. 15,71 |
| 50 - 99 | Kr. 12,19 |
| 100 + | Kr. 8,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-133
- Producentens varenummer:
- SiRS5800DP
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 265A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SiR | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 80V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 81nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 2mm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 265A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SiR | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 80V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 2mm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-Channel MOSFET er mærket til 80 V drain-source-spænding, optimeret til synkron ensretning med lavt tab i AI-strømservers buck-konvertere. Den opnår brancheførende modstand ved tænding på maks. 1,8 mΩ ved 10 V portdrev for fremragende effektivitet under høje belastningsforhold.
265 A mærkeværdi for pulseret drain-strøm
81 nC typisk samlet gate-ladning
52 °C/W termisk modstand fra samling til kabinet
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 473 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay N-kanal-Kanal 518 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay N-kanal-Kanal 680 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay N-kanal-Kanal 241 A 100 V Forbedring PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay N-kanal-Kanal 359 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-kanal-Kanal 100 A 100 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay N-kanal-Kanal 146 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR