Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-225
- Producentens varenummer:
- SQ9945CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 5,46
(ekskl. moms)
Kr. 6,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 5,46 |
| 25 - 99 | Kr. 3,67 |
| 100 + | Kr. 1,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-225
- Producentens varenummer:
- SQ9945CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.082Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.082Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 467 A 40 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 500 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101