Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 228-2944
- Producentens varenummer:
- SQ4946CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 7.187,50
(ekskl. moms)
Kr. 8.985,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,875 | Kr. 7.187,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2944
- Producentens varenummer:
- SQ4946CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET dobbelt N-kanal til brug i biler er power MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ912DEP-T1_GE3
- Vishay Siliconix 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101