Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQ4946CEY-T1_GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 65,08

(ekskl. moms)

Kr. 81,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,508Kr. 65,08
100 - 240Kr. 6,178Kr. 61,78
250 - 490Kr. 4,877Kr. 48,77
500 - 990Kr. 4,563Kr. 45,63
1000 +Kr. 3,583Kr. 35,83

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2946
Producentens varenummer:
SQ4946CEY-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

4W

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET dobbelt N-kanal til brug i biler er power MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links