Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3722
- Producentens varenummer:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 12.732,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.915,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,244 | Kr. 12.732,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3722
- Producentens varenummer:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 66W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5 mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 66W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5 mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 24 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 9 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ431AEP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 30 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 16 A 80 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N/P-Kanal-Kanal 30 A 40 V PowerPak SO-8L dobbelt, TrenchFET AEC-Q101 SQJ504EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L Automotive, TrenchFET® SQJA36EP-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 33.6 A. 100 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ211ELP-T1_GE3
