Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 6.063,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.578,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,021Kr. 6.063,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3726
Producentens varenummer:
SQS944ENW-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

27.8W

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1.07mm

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links