Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSS12DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 72,18

(ekskl. moms)

Kr. 90,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 14.910 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,218Kr. 72,18
100 - 490Kr. 6,149Kr. 61,49
500 - 990Kr. 5,401Kr. 54,01
1000 +Kr. 4,705Kr. 47,05

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3920
Producentens varenummer:
SiSS12DN-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.15 mm

Længde

3.15mm

Højde

1.07mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS(on) i et kompakt og termisk forbedret hus

Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab

Relaterede links