Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN

RS-varenummer:: 178-3693
Producentens varenummer:: SiS110DN-T1-GE3
Brand:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 178-3693
Producentens varenummer:: SiS110DN-T1-GE3
Brand:: Vishay Siliconix

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay Siliconix
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	14.2A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	SiS110DN
	Emballagetype	PowerPAK 1212
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	70mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	24W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	8.5nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.15mm
	Længde	3.15mm
	Højde	1.07mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay Siliconix
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.2A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie SiS110DN
	Emballagetype PowerPAK 1212
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 70mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 24W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.15mm
	Længde 3.15mm
	Højde 1.07mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SiS110DN seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 14,2 A kontinuerlig drain-strøm - SiS110DN-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til kobling og strømstyring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til anvendelser, der kræver en balance mellem spændingshåndtering, strømkapacitet og moderat gate-ladning for effektiv styring.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-tolerance muliggør højspændingskoblingsevne
• 70 mΩ lav RDS(on) reducerer ledningstab
• 14,2 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 24 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 8,5 nC typisk portladning muliggør reaktiv portstyring
• ±20 V gate-source-klassificering giver robust gate-spændingsmargin

Anvendelser

• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til switching på lav side af motordrev
• Anvendes med synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til batteristyring og strømfordeling

Hvilket termisk område kan jeg forvente for pålidelig drift?

Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med store temperaturvariationer.

Hvordan understøtter pakken printkortmontering og køling?

Den leveres i et kompakt PowerPAK1212-hus til overflademonteret placering med lav profil og rimelig termisk overførsel til printkortet.

Hvilke hensyn gælder for gate-driver i betragtning af gate-opladningen?

Med en typisk gate-ladning på 8,5 nC skal gate-drivere føre og synke tilstrækkelig strøm til at skifte med den ønskede hastighed uden overdrevne drevtab.

Er der angivet lovgivningsmæssige begrænsninger for denne komponent?

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene for begrænsede stoffer i elektroniske enheder.