Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.103,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.378,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,701Kr. 5.103,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3693
Producentens varenummer:
SiS110DN-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.2A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

24W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Bredde

3.15 mm

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

Relaterede links