Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN

RS-varenummer:: 178-3962
Producentens varenummer:: SiS110DN-T1-GE3
Brand:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 142,20

(ekskl. moms)

Kr. 177,75

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 12. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 5,688	Kr. 142,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-3962
Producentens varenummer:: SiS110DN-T1-GE3
Brand:: Vishay Siliconix

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay Siliconix
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	14.2A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	SiS110DN
	Emballagetype	PowerPAK 1212
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	70mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	8.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	24W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.15mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	3.15mm
	Højde	1.07mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay Siliconix
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.2A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie SiS110DN
	Emballagetype PowerPAK 1212
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 70mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 24W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.15mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 3.15mm
	Højde 1.07mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SiS110DN seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 14,2 A kontinuerlig drain-strøm - SiS110DN-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til kobling og strømstyring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til anvendelser, der kræver en balance mellem spændingshåndtering, strømkapacitet og moderat gate-ladning for effektiv styring.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-tolerance muliggør højspændingskoblingsevne
• 70 mΩ lav RDS(on) reducerer ledningstab
• 14,2 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 24 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 8,5 nC typisk portladning muliggør reaktiv portstyring
• ±20 V gate-source-klassificering giver robust gate-spændingsmargin

Anvendelser

• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til switching på lav side af motordrev
• Anvendes med synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til batteristyring og strømfordeling

Hvilket termisk område kan jeg forvente for pålidelig drift?

Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med store temperaturvariationer.

Hvordan understøtter pakken printkortmontering og køling?

Den leveres i et kompakt PowerPAK1212-hus til overflademonteret placering med lav profil og rimelig termisk overførsel til printkortet.

Hvilke hensyn gælder for gate-driver i betragtning af gate-opladningen?

Med en typisk gate-ladning på 8,5 nC skal gate-drivere føre og synke tilstrækkelig strøm til at skifte med den ønskede hastighed uden overdrevne drevtab.

Er der angivet lovgivningsmæssige begrænsninger for denne komponent?

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene for begrænsede stoffer i elektroniske enheder.