Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiS110DN-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 79,95

(ekskl. moms)

Kr. 99,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 3,198Kr. 79,95

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3962
Producentens varenummer:
SiS110DN-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.2A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

24W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

Relaterede links