Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 8.151,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.188,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 12.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,717Kr. 8.151,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3701
Producentens varenummer:
SiSS12DN-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.07mm

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS(on) i et kompakt og termisk forbedret hus

Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab

Relaterede links