Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 180,275

(ekskl. moms)

Kr. 225,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 75Kr. 7,211Kr. 180,28
100 - 475Kr. 6,146Kr. 153,65
500 - 975Kr. 5,41Kr. 135,25
1000 +Kr. 4,692Kr. 117,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3851
Producentens varenummer:
SQS966ENW-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

27.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.15mm

Højde

1.07mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.