Vishay 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
178-3727
Producentens varenummer:
SQS966ENW-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.1nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

27.8W

Gennemgangsspænding Vf

820mV

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1.07mm

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.15mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.