Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 145,85

(ekskl. moms)

Kr. 182,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Restlager hos RS
  • Sidste 2.975 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 75Kr. 5,834Kr. 145,85
100 - 475Kr. 4,961Kr. 124,03
500 - 975Kr. 4,368Kr. 109,20
1000 +Kr. 3,791Kr. 94,78

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3956
Producentens varenummer:
SQS944ENW-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

27.8W

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.6nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

3.15 mm

Højde

1.07mm

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links