Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ431AEP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 178-3873
- Producentens varenummer:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 96,94
(ekskl. moms)
Kr. 121,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 10.290 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,694 | Kr. 96,94 |
| 100 - 490 | Kr. 8,228 | Kr. 82,28 |
| 500 - 990 | Kr. 7,278 | Kr. 72,78 |
| 1000 + | Kr. 6,298 | Kr. 62,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3873
- Producentens varenummer:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 760mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bredde | 5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 760mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Bredde 5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Siliconix P-Kanal 9 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ431AEP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 24 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 30 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 16 A 80 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N/P-Kanal-Kanal 30 A 40 V PowerPak SO-8L dobbelt, TrenchFET AEC-Q101 SQJ504EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 6 A 40 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET AEC-Q101 SQS944ENW-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 6 A 60 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET AEC-Q101 SQS966ENW-T1_GE3
