Vishay Siliconix 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 30 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 101,73

(ekskl. moms)

Kr. 127,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 1.410 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 10,173Kr. 101,73
100 - 490Kr. 9,859Kr. 98,59
500 - 990Kr. 9,604Kr. 96,04
1000 +Kr. 9,35Kr. 93,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3893
Producentens varenummer:
SQJ504EP-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N, Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

30mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

34W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.99mm

Bredde

5 mm

Højde

1.07mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSF


Vishay-overflademonteret dual channel (både N- og P-kanaler) MOSFET er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 40 V. Den har en drænkildens modstand på 17Mohm ved en gate-source spænding på 10V. Den har en maksimal effektspredning på 34 W og en kontinuerlig drænstrøm på 30 A. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet. Den finder anvendelse i bilindustrien.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• TrenchFET power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet

Relaterede links