Vishay Siliconix 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 30 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3893
- Producentens varenummer:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 81,38
(ekskl. moms)
Kr. 101,72
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 1.400 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,138 | Kr. 81,38 |
| 100 - 490 | Kr. 7,886 | Kr. 78,86 |
| 500 - 990 | Kr. 7,682 | Kr. 76,82 |
| 1000 + | Kr. 7,479 | Kr. 74,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3893
- Producentens varenummer:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSF
Vishay-overflademonteret dual channel (både N- og P-kanaler) MOSFET er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 40 V. Den har en drænkildens modstand på 17Mohm ved en gate-source spænding på 10V. Den har en maksimal effektspredning på 34 W og en kontinuerlig drænstrøm på 30 A. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet. Den finder anvendelse i bilindustrien.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• Afledning (Pb) fri
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.
• TrenchFET power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testet
• UIS testet
Relaterede links
- Vishay Siliconix 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101