Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3859
- Producentens varenummer:
- SQJ415EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 144,65
(ekskl. moms)
Kr. 180,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.975 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 5,786 | Kr. 144,65 |
| 100 - 475 | Kr. 5,631 | Kr. 140,78 |
| 500 - 975 | Kr. 5,475 | Kr. 136,88 |
| 1000 + | Kr. 5,335 | Kr. 133,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3859
- Producentens varenummer:
- SQJ415EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5 mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5 mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
Vishay MOSF
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 14 mdr. Ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal effektspredning på 45 W og kontinuerlig drænstrøm på 30 A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 4,5 V og 10 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• Afledning (Pb) fri
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.
• TrenchFET power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testet
• UIS testet
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 2.68 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101