Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ481EP-T1_GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 118,725

(ekskl. moms)

Kr. 148,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 4,749Kr. 118,73

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3883
Producentens varenummer:
SQJ481EP-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5 mm

Længde

5.99mm

Højde

1.07mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSF


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildestyrke på 80 mdr. Ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal effektspredning på 45 W og kontinuerlig drænstrøm på 16 A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 4,5 V og 10 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• TrenchFET power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet

Relaterede links