Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 95,15

(ekskl. moms)

Kr. 118,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 9,515Kr. 95,15
100 - 240Kr. 9,028Kr. 90,28
250 - 490Kr. 7,615Kr. 76,15
500 - 990Kr. 6,186Kr. 61,86
1000 +Kr. 5,236Kr. 52,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5101
Producentens varenummer:
SQJ208EP-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

16mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Gennemgangsspænding Vf

0.77V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.01mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Dual N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET'er til biler.

TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.