Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ208EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 188-5101
- Producentens varenummer:
- SQJ208EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 88,26
(ekskl. moms)
Kr. 110,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,826 | Kr. 88,26 |
| 100 - 240 | Kr. 8,385 | Kr. 83,85 |
| 250 - 490 | Kr. 7,061 | Kr. 70,61 |
| 500 - 990 | Kr. 5,745 | Kr. 57,45 |
| 1000 + | Kr. 4,855 | Kr. 48,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5101
- Producentens varenummer:
- SQJ208EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.77V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Bredde | 4.47 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.77V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Bredde 4.47 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dual N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET'er til biler.
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ912DEP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ872EP-T1_GE3