Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 750 V, 7 Ben, PG-TO263-7, AIMBG75R AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 762-872
- Producentens varenummer:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 106,90
(ekskl. moms)
Kr. 133,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 106,90 |
| 10 - 24 | Kr. 96,23 |
| 25 + | Kr. 79,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-872
- Producentens varenummer:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 31mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 234W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 169nC | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 31mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 234W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 169nC | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon højtydende SiC MOSFET er designet til at forbedre effektiviteten i bilanvendelser ved at lette effektiv effektkonvertering og styring.
Tilbyder robust 750 V teknologi, der sikrer høj pålidelighed i krævende anvendelser
Har førsteklasses varmeafledningsfunktioner for forbedret ydeevne
Understøtter forbedret effektivitet i hårde omskiftningsanvendelser, minimerer energitab
Omfatter integreret ESD-beskyttelse for at beskytte kredsløbsintegriteten
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 64 A 750 V PG-TO263-7, AIMBG75R AEC-Q101
- Infineon N-kanal-Kanal 64 A 750 V PG-TO263-7, AIMBG75R AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 64 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 47 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 81 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 98 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 34 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 24 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101