Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 65 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 62,81

(ekskl. moms)

Kr. 78,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 62,81
10 - 49Kr. 50,91
50 - 99Kr. 38,93
100 +Kr. 31,14

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-903
Producentens varenummer:
IMW40R025M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Emballagetype

TO-247

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

25.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

195W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Gennemgangsspænding Vf

4.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.83mm

Længde

20.8mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkronretning og har Benchmark gate tærskelspænding. Desuden er den udstyret med XT-sammenkoblingsteknologi for den bedste termiske ydeevne i klassen.

100% lavine testet

Anbefalet gate-drivspænding

Kvalificeret til industrielle anvendelser

Anvendes til energilagring, UPS og batteridannelse

Relaterede links