Infineon N-Kanal, Effekt MOSFET, 65 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 762-903
- Producentens varenummer:
- IMW40R025M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 74,58
(ekskl. moms)
Kr. 93,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 119 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 17. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 74,58 |
| 10 - 99 | Kr. 44,13 |
| 100 - 479 | Kr. 39,05 |
| 480 + | Kr. 37,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-903
- Producentens varenummer:
- IMW40R025M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 195W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.3V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 15.7mm | |
| Længde | 20.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 195W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.3V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 15.7mm | ||
Længde 20.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkronretning og har Benchmark gate tærskelspænding. Desuden er den udstyret med XT-sammenkoblingsteknologi for den bedste termiske ydeevne i klassen.
100% lavine testet
Anbefalet gate-drivspænding
Kvalificeret til industrielle anvendelser
Anvendes til energilagring, UPS og batteridannelse