Infineon N-Kanal, Effekt MOSFET, 193 A 40 V Forbedring, 8 Ben, Tape og rulle, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 762-930
- Producentens varenummer:
- IAUZN04S7N013ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 16,90
(ekskl. moms)
Kr. 21,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 16,90 |
| 10 - 99 | Kr. 16,16 |
| 100 - 499 | Kr. 12,64 |
| 500 - 999 | Kr. 11,67 |
| 1000 + | Kr. 9,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-930
- Producentens varenummer:
- IAUZN04S7N013ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 193A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | Tape og rulle | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.95V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 2.29mm | |
| Bredde | 2.29mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 193A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype Tape og rulle | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.95V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 2.29mm | ||
Bredde 2.29mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon Automotive MOSFET-effekttransistor er en N-kanals MOSFET med forstærkning tilstand, der er designet til bilanvendelser. Den fungerer under høje temperaturer og har en robust konstruktion. Udvidet kvalifikation ud over AEC-Q101.
Forbedret elektrisk test
Robust design
I overensstemmelse med RoHS
100% Avalanche testet