Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 100 A 1400 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 129,56

(ekskl. moms)

Kr. 161,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 129,56
10 - 24Kr. 116,61
25 +Kr. 95,88

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-947
Producentens varenummer:
IMYR140R019M2HXLSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

1400V

Emballagetype

PG-TO247-4

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

19mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

90nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

385W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

23.8mm

Højde

4.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET har en mærkeværdi på 1400 V og en strømkapacitet på 147 A ved 100 °C med en lav modstand ved tænding på 8,5 mΩ. Den understøtter høj termisk ydeevne og kan modstå kortslutninger i 2 μs. Enheden er designet med robust parasitisk tændingsbeskyttelse og en høj krybeafstand.

Meget lave koblingstab

Robust kropsdiode til hård kommutering

Bred strømstifter for høj strømkapacitet

Resistive svejsbare ben til direkte samleskinnetilslutninger

Relaterede links