Infineon N-Kanal, MOSFET, 83 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-335
- Producentens varenummer:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 137,03
(ekskl. moms)
Kr. 171,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 55 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 137,03 |
| 10 - 99 | Kr. 123,35 |
| 100 + | Kr. 113,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-335
- Producentens varenummer:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 83A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 57nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 273W | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 83A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 57nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 273W | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC seriens MOSFET, 650 V drain source spænding, 83 A kontinuerlig drain strøm - IMZA65R020M2HXKSA1
Denne MOSFET er en siliciumkarbid-effekttransistor, der er designet til højspændingsswitching i strøm-elektroniksystemer. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed til konvertering og styring af elektrisk energi, hvor effektivitet og termisk modstandsdygtighed er påkrævet. Komponenten leveres i en PG-TO247-4-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til robust montering og varmeafledning i krævende elektroniske enheder.
Egenskaber og fordele:
• 650 V blokeringsevne understøtter højspændingsdesign
• 24 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 83 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør drift med høj strømstyrke
• 273 W effekttab hjælper med termisk styring
• 57 nC typisk gate-ladning giver hurtigere skifteovergange
• Nominelt temperaturområde fra -55 °C til 175 °C udvider driftsomfanget
• 24 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 83 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør drift med høj strømstyrke
• 273 W effekttab hjælper med termisk styring
• 57 nC typisk gate-ladning giver hurtigere skifteovergange
• Nominelt temperaturområde fra -55 °C til 175 °C udvider driftsomfanget
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrev og invertere
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes med trækkrafttrin eller effekttrin med vedvarende energi
• Kan bruges til DC/DC-konvertering med hurtig kobling
• Velegnet til batterisystemer, der kræver høj strømstyrkehåndtering
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes med trækkrafttrin eller effekttrin med vedvarende energi
• Kan bruges til DC/DC-konvertering med hurtig kobling
• Velegnet til batterisystemer, der kræver høj strømstyrkehåndtering
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Enheden må ikke drives ud over en maksimal gate-til-kilde-spænding på 23 V for at undgå portoverspænding.
Hvordan påvirker pakken termisk føring på et kort?
PG-TO247-4-formatet med gennemgående hul giver mulighed for direkte montering af kølelegeme og nem termisk tilpasning gennem kortet for forbedret afledning.
Hvilken skifteadfærd kan forventes fra gate-ladeværdien?
En typisk gate-ladning på 57 nC angiver moderate krav til gate-driverenergi, der balancerer skiftehastigheden og drivstrømbehovet.
Hvilken kanalledningstype anvendes under drift?
Transistoren fungerer som en N-kanal-enhed med forstærkning, der kræver positivt gate-drev til ledning.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 103 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 23 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 60 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 16 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 32 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC