Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 89 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-339
- Producentens varenummer:
- IMZA75R016M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 214,49
(ekskl. moms)
Kr. 268,11
(inkl. moms)
Tilføj 3 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 214,49 |
| 10 - 99 | Kr. 193,06 |
| 100 + | Kr. 178,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-339
- Producentens varenummer:
- IMZA75R016M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 89A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 81nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 319W | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 89A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 319W | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 er bygget på Infineons solide siliciumcarbid-teknologi, der er udviklet gennem mere end 20 år. Ved at udnytte de unikke egenskaber ved SiC-materialer med bredt båndgab leverer 750 V CoolSiC MOSFET en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er specielt designet til høje temperaturer og barske driftsforhold, hvilket muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af systemer med den højeste effektivitet. Denne MOSFET er perfekt til applikationer, der kræver robust ydeevne og energieffektive løsninger.
Forbedret robusthed og pålidelighed for busspændinger over 500 V
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Højere skiftefrekvens i soft switching-topologier
Robusthed over for parasitære tændinger ved unipolær gate-drift
Reducerede koblingstab gennem forbedret gatekontrol
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 89 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 16 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 32 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 23 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 44 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 60 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101