Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC Nej IMZA75R020M1HXKSA1
- RS-varenummer:
- 349-340
- Producentens varenummer:
- IMZA75R020M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 172,96
(ekskl. moms)
Kr. 216,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 172,96 |
| 10 - 99 | Kr. 155,73 |
| 100 + | Kr. 143,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-340
- Producentens varenummer:
- IMZA75R020M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 er bygget på Infineons solide siliciumcarbid-teknologi, der er udviklet gennem mere end 20 år. Ved at udnytte de unikke egenskaber ved SiC-materialer med bredt båndgab leverer 750 V CoolSiC MOSFET en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er specielt designet til høje temperaturer og barske driftsforhold, hvilket muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af systemer med den højeste effektivitet. Denne MOSFET er perfekt til applikationer, der kræver robust ydeevne og energieffektive løsninger.
Forbedret robusthed og pålidelighed for busspændinger på over 500 V
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Højere skiftefrekvens i soft switching-topologier
Robusthed over for parasitære tændinger ved unipolær gate-drift
Reducerede koblingstab gennem forbedret gatekontrol
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 32 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 44 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 16 A. 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R140M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 60 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R027M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 23 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R090M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 89 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R016M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 7 4 ben AIM AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V PG-TO247-4, IMZ IMZA65R040M2HXKSA1