Infineon N-Kanal, MOSFET, 103 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC

Denne MOSFET er en siliciumkarbid-effekttransistor, der er designet til højspændingsswitching i krævende industrielle miljøer. Den fungerer som en N-kanal-forbedringsenhed og leveres i en 4-benet PG-TO247-4-pakke med gennemgående hul, der er velegnet til kølelegemer og konventionelle monteringsmetoder. Komponenten understøtter kontinuerlig drift med høj strømstyrke og er specifikeret til brug ved bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til systemer, der kræver vedvarende effekthåndtering ved høje forbindelsestemperaturer.

• 650 V afløbsspænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 103 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 18 mΩ RDS(on) reducerer ledningstab for højere effektivitet
• 79 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd
• 341 W maks. effekttab muliggør betydelig termisk belastning
• Mærkeværdi fra -55 °C til 175 °C er velegnet til drift ved ekstreme temperaturer

• Velegnet til industrielle motordrevstrin
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger og invertere
• Anvendes sammen med robuste køleelementenheder i omformere
• Kan bruges til DC/DC-omformningssystemer med høj strømstyrke
• Velegnet til udskiftning i effektelektronik med gennemgående huller

Den leveres i en PG-TO247-4-pakke med hulmontering til loddet eller boltet varmeafleder.

Den typiske gate-ladning på 79 nC angiver gate-drive-energi og påvirker valgte driverstyrke og skiftehastighedsafvejninger.

Enheden kan sprede op til 341 W under specificerede forhold og er nominelt beregnet til drift op til 175 °C til systemdesign med høje temperaturer.

Det er ikke specificeret som overholdelse af godkendelser af bilstandarder og bør vurderes i forhold til kvalifikationsbehov for biler.