Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 103 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-334
- Producentens varenummer:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 155,36
(ekskl. moms)
Kr. 194,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 235 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 155,36 |
| 10 - 99 | Kr. 139,88 |
| 100 + | Kr. 128,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-334
- Producentens varenummer:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 103A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 341W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 103A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 341W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der leverer uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og brugervenlighed. Denne avancerede MOSFET muliggør omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, der imødekommer de stadigt voksende behov i moderne kraftsystemer og markeder. Det er en kraftfuld løsning til at opnå overlegen systemeffektivitet i forskellige applikationer og sikre optimal ydeevne i krævende miljøer.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 83 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 32 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 16 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 23 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 60 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC