Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC Nej IMZA65R050M2HXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 71,96

(ekskl. moms)

Kr. 89,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 71,96
10 - 99Kr. 64,70
100 - 499Kr. 59,69
500 - 999Kr. 55,43
1000 +Kr. 49,59

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-338
Producentens varenummer:
IMZA65R050M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

CoolSiC

Emballagetype

PG-TO247-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

62mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

153W

Portkildespænding maks.

23 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der leverer uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og brugervenlighed. Denne avancerede MOSFET muliggør omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, der imødekommer de stadigt voksende behov i moderne kraftsystemer og markeder. Det er en kraftfuld løsning til at opnå overlegen systemeffektivitet i forskellige applikationer og sikre optimal ydeevne i krævende miljøer.

Ultra lave koblingstab

Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding

Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem

Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser

.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne

Relaterede links