onsemi N-kanal-Kanal, Småsignals-mosfet, 270 mA 30 V Forbedringstilstand, 3 Ben, SC-70, NTS4001N AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 50 enheder)*

Kr. 34,80

(ekskl. moms)

Kr. 43,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 03. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
50 - 450Kr. 0,696Kr. 34,80
500 - 2450Kr. 0,612Kr. 30,60
2500 - 4950Kr. 0,549Kr. 27,45
5000 +Kr. 0,474Kr. 23,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
765-284
Producentens varenummer:
NTS4001NT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Småsignals-mosfet

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

270mA

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SC-70

Serie

NTS4001N

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

330mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Højde

1.11mm

Bredde

2.64mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Onsemi MOSFET er designet til effektivitet i anvendelser med lavt strømforbrug og tilbyder bemærkelsesværdige ydeevnefunktioner til innovation i forskellige elektroniske enheder. Med et kompakt SC-70-hus skiller denne enkelt N-kanal MOSFET sig ud med sin lave gate-ladning, der muliggør hurtige skiftefunktioner, samtidig med at den sikrer robust ESD-beskyttelse. Enheden understøtter en maksimal drain-til-kilde-spænding på 30 V og en kontinuerlig drænstrøm på 270 mA, hvilket gør den velegnet til anvendelser som f.eks. batteridrevne enheder og buck-konvertere. Den er bygget med pålidelighed i tankerne og overholder AEC-Q101-standarderne, samtidig med at den er i overensstemmelse med RoHS, hvilket understreger onsemis engagement i bæredygtighed og kvalitet.

Lav gate-ladning letter hurtig og effektiv omskiftning

Kompakt bundareal er 30 % mindre end traditionelle TSOP-6-huse, hvilket sparer plads på kortet

ESD-beskyttelse forbedrer enhedens levetid og ydeevne

AEC-Q101-kvalificeret, der sikrer robusthed til biler og anvendelser med høj pålidelighed

Pb-fri og i overensstemmelse med RoHS, i overensstemmelse med miljøstandarder

Alsidige anvendelser omfatter lav-side belastningskontakter og bærbar elektronik

Understøtter et bredt temperaturområde fra -55 °C til 150 °C til forskellige driftsmiljøer

Let at integrere i design med et forenklet pakkelayout til overflademontering

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.