onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Småsignal, 910 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 184-1064
- Producentens varenummer:
- NTJD4401NT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.079,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.598,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,693 | Kr. 2.079,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1064
- Producentens varenummer:
- NTJD4401NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Småsignal | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 910mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 440mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 550mW | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.76V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Småsignal | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 910mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 440mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 550mW | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.76V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne N-kanal dobbeltenhed er designet med et lille hus (2 x 2 mm) med ON Semiconductors førende planar-proces, der giver lille bundareal og øget effektivitet. Det lave antal fordele er særligt velegnet til enkelt- eller dobbeltcellede li-ion-batterienheder som f.eks. mobiltelefoner, medieafspillere, digitalkameraer og PDA'er.
Lille sokkel (2 x 2 mm)
N-Kanal-Enhed Med Lav Gateopladning
ESD-beskyttet låge
Samme pakke som SC-70 (6 Afledninger)
Anvendelsesområder:
Skift Af Belastningseffekt
Li-Ion Batterienheder Medfølger
DC-DC-konvertering
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 910 mA 20 V SC-88 AEC-Q101 NTJD4401NT1G
- onsemi N-Kanal 915 mA 20 V SOT-523 (SC-89) AEC-Q101 NTE4153NT1G
- AEC-Q101 onsemi BAS16WT1G Diode 200mA, 3-Pin SC-70
- onsemi N-Kanal 50 mA 15 V MCPH AEC-Q101 NSVJ5908DSG5T1G
- onsemi N-Kanal 50 mA 25 V CPH AEC-Q101 NSVJ6904DSB6T1G
- AEC-Q101 onsemi NSVBAS21TMR6T1G Triple Diode 50ns 6-Pin SC-74
- onsemi P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 AEC-Q101 BVSS84LT1G
- onsemi N-Kanal 200 mA 50 V SOT-23 AEC-Q101 BSS138L
