MPN

Nexperia 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, Grav MOSFET, 350 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101

RS-varenummer:: 136-4807
Producentens varenummer:: NX3008CBKS,115
Brand:: Nexperia

Nexperia 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, Grav MOSFET, 350 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 1.737,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.172,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

57.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,579	Kr. 1.737,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 136-4807
Producentens varenummer:: NX3008CBKS,115
Brand:: Nexperia

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Nexperia
	Produkttype	Grav MOSFET
	Kanaltype	Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	350mA
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SC-88
	Serie	NX3008CBKS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	4.1Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.52nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	990mW
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	-8V, +8V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Længde	2.2mm
	Højde	1mm
	Bredde	1.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Nexperia
	Produkttype Grav MOSFET
	Kanaltype Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SC-88
	Serie NX3008CBKS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 4.1Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.52nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 990mW
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. -8V, +8V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Længde 2.2mm
	Højde 1mm
	Bredde 1.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Nexperia

MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.