Nexperia 2 Type N-Kanal Dobbelt, Grav MOSFET, 180 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- RS-varenummer:
- 170-5396
- Producentens varenummer:
- NX3020NAKS,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 64,65
(ekskl. moms)
Kr. 80,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 1,293 | Kr. 64,65 |
| 250 - 450 | Kr. 0,503 | Kr. 25,15 |
| 500 - 1200 | Kr. 0,477 | Kr. 23,85 |
| 1250 - 2450 | Kr. 0,358 | Kr. 17,90 |
| 2500 + | Kr. 0,34 | Kr. 17,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-5396
- Producentens varenummer:
- NX3020NAKS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Grav MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Emballagetype | TSSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.26nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Grav MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Emballagetype TSSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.26nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Robust forbindelse mellem asynkrone og synkrone systemer. Flip-flops er grundlæggende storageelementer i digital elektronik. Ved kun at tillade udgangen at skifte på en kantovergang, giver flip-flops et robust interface mellem asynkrone og synkrone systemer. Med et udvalg af enten positive eller negative kantudløste muligheder giver de øget fleksibilitet.
Dobbelt N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille SOT363 (SC-88) overflademonteret (SMD) plasthus med Trench MOSFET-teknologi.
Meget hurtigt skift
Trench MOSFET-teknologi
ESD-beskyttelse
Lav tærskelspænding
Anvendelsesområder
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Lavside belastningsafbryder
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia 2 Type N-Kanal Dobbelt 180 mA 30 V Forbedring TSSOP, NX3020NAKS
- Nexperia 2 Type P Grav MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Dobbelt 260 mA 60 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Type P-Kanal Dobbelt 500 mA -20 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- Nexperia Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV48XP
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 12 A 40 V Forbedring Effekt 33, PowerTrench
- Nexperia Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM