onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, Dobbelt N-kanals Effekt Grav MOSFET, 12 A 40 V Forbedring, 8 Ben, Effekt 33, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 806-3504
- Producentens varenummer:
- FDMC8030
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 69,41
(ekskl. moms)
Kr. 86,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 345 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 1.605 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 25 | Kr. 13,882 | Kr. 69,41 |
| 30 - 145 | Kr. 12,402 | Kr. 62,01 |
| 150 - 745 | Kr. 10,95 | Kr. 54,75 |
| 750 - 1495 | Kr. 9,44 | Kr. 47,20 |
| 1500 + | Kr. 8,094 | Kr. 40,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-3504
- Producentens varenummer:
- FDMC8030
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Dobbelt N-kanals Effekt Grav MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | Effekt 33 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.9W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free and RoHS | |
| Højde | 0.75mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Dobbelt N-kanals Effekt Grav MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype Effekt 33 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.9W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free and RoHS | ||
Højde 0.75mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 12 A 40 V Forbedring Effekt 33, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring Effekt 33, PowerTrench
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 2.9 A 30 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 7 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- Nexperia 2 Type N-Kanal Dobbelt 260 mA 60 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Type N-Kanal Dobbelt 180 mA 30 V Forbedring TSSOP, NX3020NAKS