onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 7 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 671-0753
- Producentens varenummer:
- FDS8984
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 19,45
(ekskl. moms)
Kr. 24,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.420 enhed(er) afsendes fra 28. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 3,89 | Kr. 19,45 |
| 50 - 95 | Kr. 3,35 | Kr. 16,75 |
| 100 - 495 | Kr. 2,898 | Kr. 14,49 |
| 500 - 995 | Kr. 2,548 | Kr. 12,74 |
| 1000 + | Kr. 2,322 | Kr. 11,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0753
- Producentens varenummer:
- FDS8984
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.2nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.2nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Automotive Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 7 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 12 A 40 V Forbedring Effekt 33, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 7 A 100 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 7 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 4.7 A 80 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 6 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 4.5 A 100 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 3.5 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench Nej