onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 5.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 671-0655
- Producentens varenummer:
- FDS6930B
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 671-0655
- Producentens varenummer:
- FDS6930B
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Kanaltype | N | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) | 5.5 A | |
| Drain source spænding maks. (Vds) | 30 V | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Gennemgangsspænding (Vf) | 1.2 V | |
| Højde | 1.5 mm | |
| Længde | 5 mm | |
| Drain source modstand maks. (Rds) | 62 mΩ | |
| Portkildespænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150 °C | |
| Effektafsættelse maks. (Pd) | 2 W | |
| Min. driftstemperatur | -55 °C | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk | 3.8 nC | |
| Bredde | 4 mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Kanaltype N | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) 5.5 A | ||
Drain source spænding maks. (Vds) 30 V | ||
Kanalform Forbedring | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Gennemgangsspænding (Vf) 1.2 V | ||
Højde 1.5 mm | ||
Længde 5 mm | ||
Drain source modstand maks. (Rds) 62 mΩ | ||
Portkildespænding maks. -20 V, +20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150 °C | ||
Effektafsættelse maks. (Pd) 2 W | ||
Min. driftstemperatur -55 °C | ||
Monteringstype Overflade | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk 3.8 nC | ||
Bredde 4 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterede links
- onsemi 2 N-Kanal Isoleret 5.5 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 5.5 A 30 V Forbedring SSOT, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 12.5 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 18 A 40 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 11.2 A 100 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 18 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 7 A 100 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 6.1 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench