Nexperia Type P-Kanal, P-kanal Grav MOSFET, 3.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PMV48XP
- RS-varenummer:
- 798-2801
- Producentens varenummer:
- PMV48XP,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 30 enheder)*
Kr. 112,26
(ekskl. moms)
Kr. 140,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 3,742 | Kr. 112,26 |
| 60 - 120 | Kr. 3,551 | Kr. 106,53 |
| 150 - 270 | Kr. 2,244 | Kr. 67,32 |
| 300 - 570 | Kr. 1,745 | Kr. 52,35 |
| 600 + | Kr. 1,366 | Kr. 40,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 798-2801
- Producentens varenummer:
- PMV48XP,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | P-kanal Grav MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | PMV48XP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 81mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 930mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60134 | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype P-kanal Grav MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie PMV48XP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 81mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 930mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 60134 | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV48XP
- Nexperia 2 Type P-Kanal Dobbelt 500 mA -20 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- Nexperia Type P-Kanal 3.9 A 20 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV32UP
- Nexperia Type P-Kanal 1.2 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV160UP
- Nexperia 2 Type P Grav MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 2 A 20 V Forbedring SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 230 mA 30 V Forbedring SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101
