Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 134-295
- Producentens varenummer:
- PMV65XP,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 175,60
(ekskl. moms)
Kr. 219,50
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 550 | Kr. 3,512 | Kr. 175,60 |
| 600 - 1450 | Kr. 3,161 | Kr. 158,05 |
| 1500 + | Kr. 2,81 | Kr. 140,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-295
- Producentens varenummer:
- PMV65XP,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 76mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.92W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 76mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.92W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal 3.9 A 20 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV48XP
- Nexperia Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV32UP
- Nexperia Type P-Kanal 1.2 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV160UP
- Nexperia Type P-Kanal 2 A 20 V Forbedring SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 230 mA 30 V Forbedring SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 180 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS84AK AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 3.9 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
