Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 3.9 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 152-7154
- Producentens varenummer:
- PMV50ENEAR
- Brand:
- Nexperia
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 3.204,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.005,00
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 152-7154
- Producentens varenummer:
- PMV50ENEAR
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 69mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.9W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 69mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.9W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
30 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.
Logikniveau-kompatibel
Meget hurtigt skift
Trench MOSFET-teknologi
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM
AEC-Q101 kvalificeret
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Lavside belastningsafbryder
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 3.9 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.9 A 30 V Forbedring SOT-23, ZXMN3A14F AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 3.9 A 20 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type N-Kanal 4.7 A 20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 5.5 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 3.1 A 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 3 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101