Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 56,175

(ekskl. moms)

Kr. 70,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.900 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 2,247Kr. 56,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
153-0781
Producentens varenummer:
PMV20XNEAR
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

34mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

6.94W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.9nC

Portkildespænding maks.

12 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Bredde

1.4 mm

Længde

3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

20 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.

Lav tærskelspænding

Meget hurtigt skift

Trench MOSFET-teknologi

Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM

AEC-Q101 kvalificeret

Relædriver

Højhastigheds linjedriver

Lavside belastningsafbryder

Koblingskredsløb

Relaterede links