Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.830,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.280,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 3.000 enhed(er) afsendes fra 17. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,61Kr. 1.830,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
153-0709
Producentens varenummer:
PMV230ENEAR
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

222mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.45W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Længde

3mm

Højde

1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

60 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.

Logikniveau-kompatibel

Meget hurtigt skift

Trench MOSFET-teknologi

Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM

AEC-Q101 kvalificeret

Relædriver

Højhastigheds linjedriver

Lavside belastningsafbryder

Koblingskredsløb

Relaterede links