Nexperia N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 34,10

(ekskl. moms)

Kr. 42,63

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 1,364Kr. 34,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
153-1898
Producentens varenummer:
PMV230ENEAR
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

222mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

1.45W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Længde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

60 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.

Logikniveau-kompatibel

Meget hurtigt skift

Trench MOSFET-teknologi

Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM

AEC-Q101 kvalificeret

Relædriver

Højhastigheds linjedriver

Lavside belastningsafbryder

Koblingskredsløb

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.