Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 31,00

(ekskl. moms)

Kr. 38,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.050 enhed(er) afsendes fra 29. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 1,24Kr. 31,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
153-0784
Producentens varenummer:
PMV100ENEAR
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

118mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

4.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Bredde

1.4 mm

Længde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

30 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.

Logikniveau-kompatibel

Meget hurtigt skift

Trench MOSFET-teknologi

Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM

AEC-Q101 kvalificeret

Relædriver

Højhastigheds linjedriver

Lavside belastningsafbryder

Koblingskredsløb

Relaterede links