Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 4.7 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 49,825

(ekskl. moms)

Kr. 62,275

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 1,993Kr. 49,83

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-3171
Producentens varenummer:
PMV28UNEAR
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.7A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

8 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.9W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

MOSFET'er til biler, verdens største portefølje af AEC-Q101 kvalificerede power MOSFET'er, en indgående forståelse af bilsystemkrav og fokuseret teknisk kapacitet gør det muligt for Nexperia at give effekt-halvlederløsninger over et bredt spektrum af anvendelser. Fra forsyning af en enkelt lampe til sofistikerede behov for strømstyring i motor-, stel- eller chassisanvendelser, kan Nexperia effekt-halvledere give svaret på mange strømproblemer i bilsystemer.

Kompatibel med AEC-Q101

Normeret periodisk lavine

Velegnet til termisk krævende miljøer på grund af 175 °C normering

20 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanal felteffekttransistor (FET) med optimeret tilstand i et lille SOT23 (TO-236AB) overflademonteret (SMD) plasthus med Trench MOSFET-teknologi.

Lav tærskelspænding

Meget hurtigt skift

Trench MOSFET-teknologi

Beskyttelse mod elektrostatisk afladning (ESD) > 2 kV HBM

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links