Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 350 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101 NX3008NBKS,115
- RS-varenummer:
- 865-2182
- Producentens varenummer:
- NX3008NBKS,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 114,20
(ekskl. moms)
Kr. 142,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 1,142 | Kr. 114,20 |
| 200 - 400 | Kr. 1,028 | Kr. 102,80 |
| 500 + | Kr. 0,913 | Kr. 91,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 865-2182
- Producentens varenummer:
- NX3008NBKS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 445mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.52nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 445mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.52nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 350 mA 30 V SOT-363 NX3008NBKS,115
- Nexperia N/P-Kanal-Kanal 200 mA 6 ben115
- Nexperia N/P-Kanal-Kanal 200 mA 6 ben NX3008CBKS AEC-Q101 NX3008CBKS,115
- Nexperia N-Kanal 860 mA 20 V SOT-363 PMGD290XN,115
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V SOT-363 BSS138PS,115
- Nexperia N-Kanal 870 mA 20 V SOT-363 PMGD280UN,115
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V SOT-363 2N7002PS,115
- Nexperia N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 2N7002BKS,115
