Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 320 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 792-0901
- Producentens varenummer:
- BSS138PS,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 40 enheder)*
Kr. 77,56
(ekskl. moms)
Kr. 96,96
(inkl. moms)
Tilføj 280 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 360 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 25. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 40 - 360 | Kr. 1,939 | Kr. 77,56 |
| 400 - 760 | Kr. 1,745 | Kr. 69,80 |
| 800 + | Kr. 1,551 | Kr. 62,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-0901
- Producentens varenummer:
- BSS138PS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 320mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.72nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320mW | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 320mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.72nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320mW | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 320 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 1 Type N-Kanal Enkelt 320 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 350 mA 30 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type P-Kanal Isoleret 160 mA 50 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 860 mA 20 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 870 mA 20 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia Type N-Kanal 320 mA 60 V Forbedring SC-70, BSS138BKW AEC-Q101
