Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 860 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET Nej PMGD290XN,115
- RS-varenummer:
- 725-8394
- Producentens varenummer:
- PMGD290XN,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 22,26
(ekskl. moms)
Kr. 27,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 1,113 | Kr. 22,26 |
| 40 - 80 | Kr. 0,748 | Kr. 14,96 |
| 100 - 180 | Kr. 0,527 | Kr. 10,54 |
| 200 - 380 | Kr. 0,518 | Kr. 10,36 |
| 400 + | Kr. 0,506 | Kr. 10,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-8394
- Producentens varenummer:
- PMGD290XN,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 860mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 410mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.72nC | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 860mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 410mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.72nC | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Dobbelt N-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 860 mA 20 V SOT-363 PMGD290XN,115
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V SOT-363 BSS138PS,115
- Nexperia N-Kanal 870 mA 20 V SOT-363 PMGD280UN,115
- Nexperia N-Kanal 350 mA 30 V SOT-363 NX3008NBKS,115
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V SOT-363 2N7002PS,115
- Nexperia N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 2N7002BKS,115
- Nexperia P-Kanal 160 mA 50 V SOT-363 BSS84AKS,115
- Nexperia N/P-Kanal-Kanal 200 mA 6 ben115
