Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 860 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET Nej
- RS-varenummer:
- 166-0612
- Producentens varenummer:
- PMGD290XN,115
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.926,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.406,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,642 | Kr. 1.926,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-0612
- Producentens varenummer:
- PMGD290XN,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 860mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.72nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 410mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 860mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.72nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 410mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Dobbelt N-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 860 mA 20 V Forbedring SC-88115
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 870 mA 20 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET Nej
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 870 mA 20 V Forbedring SC-88115
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 1 Type N-Kanal Enkelt 320 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 320 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type P-Kanal Isoleret 160 mA 50 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 350 mA 30 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101